TFT是(shì)什(shén)麽


發布時(shí)間(jiān):

2022-08-16

智能(néng)手機(jī)發展迅速的(de)今天,小₩®≠α(xiǎo)編相(xiàng)信很(hěn)多(duō)網♦☆友(yǒu)對(duì)TFT這(zhè)個(gè)詞已經不(bù)會(huì ÷)陌生(shēng)了(le),多(duō)多(duō)少(shǎo)少( ®‌shǎo)都(dōu)會(huì)在手機(j×★ī)參數(shù)項裡(lǐ)見(jiàn)到(dào)過。TFT全稱為(wè↑±>☆i)Thin Film Transistor(薄膜場(chǎng)效應♣®晶體(tǐ)管),是(shì)指液晶顯示器(qì)上λδ(shàng)的(de)每一(yī)液晶象素點都(dōu)是(shì)由"δ集成在其後的(de)薄膜晶體(tǐ)管來(lái)驅動,從™<(cóng)而可(kě)以做(zuò)到(dàδα​λo)高(gāo)速度高(gāo)亮(liàng)度高(gāo≥Ω♣♣)對(duì)比度顯示屏幕信息,TFT屬于有(yǒu)源φ‍矩陣液晶顯示器(qì),而TFT-LCD(薄膜晶體(tǐ α)管液晶顯示器(qì))是(shì)多(☆£duō)數(shù)液晶顯示器(qì)的(×♦ £de)一(yī)種。

TFT是(shì)什(shén)麽

  智能(néng)手機(jī)發展迅速的(de)今♥π♥↔天,小(xiǎo)編相(xiàng)信很(hěn)多♥β (duō)網友(yǒu)對(duì)TFT這(zhè)個(gè¶φ¥)詞已經不(bù)會(huì)陌生(shēng)了(le),多(dλ£uō)多(duō)少(shǎo)少(shǎo)都(d±&&δōu)會(huì)在手機(jī)參數(shù)項裡(lǐ₩¥≤)見(jiàn)到(dào)過。TFT全稱為(wèi)Thi →n Film Transistor(薄膜場(c€✔→hǎng)效應晶體(tǐ)管),是(shì ♥λ)指液晶顯示器(qì)上(shàng)的(de)每一(yī)液  ≤晶象素點都(dōu)是(shì)由集成在其後的(de)薄膜晶體(tǐ)±&$×管來(lái)驅動,從(cóng)而可(kě)以做(zπ ​βuò)到(dào)高(gāo)速度高(gāo)亮( β₽liàng)度高(gāo)對(duì)比度顯示屏↕☆€幕信息,TFT屬于有(yǒu)源矩陣液晶顯示器(qì),‌φ而TFT-LCD(薄膜晶體(tǐ)管液晶顯示器(qì))是(sh ±‌ì)多(duō)數(shù)液晶顯示器(qì)✘∑σ的(de)一(yī)種。

  TFT在液晶的(de)背部設置特殊光(gu¶λ≠≥āng)管,可(kě)以“主動的(de)”¥ ←對(duì)屏幕上(shàng)的(de)各個(gè)獨立的(de)像¶ 素進行(xíng)控制(zhì),這(zhè)也(yě)就(jiù←÷‍)是(shì)所謂的(de)主動矩陣TFT(act≠π☆βivematrixTFT)的(de)來(lái)曆,這"‌₹'(zhè)樣可(kě)以大(dà)大(dà)地(dì)​$£提高(gāo)反應時(shí)間(jiān),一(yī)般TFT的(de)λδσ反應時(shí)間(jiān)比較快(kuài),約80ms,而STN則為(w>↔•èi)200ms,如(rú)果要(yào)提高(g≥✔āo)就(jiù)會(huì)有(yǒu)閃爍現(≥πxiàn)象發生(shēng)。而且由于TFT是(shì)£✔δ主動式矩陣LCD可(kě)讓液晶的(de)排列‍>φ≥方式具有(yǒu)記憶性,不(bù)會(huì)在電(✘☆‌diàn)流消失後馬上(shàng)恢複原狀。

  TFT的(de)顯示采用(yòng)&ld≤±δ✔quo;背透式”照(zhào)射方式—&mda∞©sh;假想的(de)光(guāng)源路(lù)徑不(bù)是(shì)±©♥像TN液晶那(nà)樣從(cóng)上(shàng)至下(xià),而是π✘&<(shì)從(cóng)下(xià)向上(shàng)。這(zhè&∞☆)樣的(de)作(zuò)法是(shì)在液晶的(de)背部設置特殊光​ε₹(guāng)管,光(guāng)源照(zh ™ào)射時(shí)通(tōng)過下(xià)偏光(g£αuāng)闆向上(shàng)透出,由于上(shàng)下(x→ 'ià)夾層的(de)電(diàn)極改成FET電(diàn)極和(hé)共通←δ∞∞(tōng)電(diàn)極,在FET電(diàn)極導通(<‍tōng)時(shí),液晶分(fēn)子(zǐ)的(de)表現"≈✘(xiàn)也(yě)會(huì)發生(shēng)改變,可(kě)以通 ♦(tōng)過遮光(guāng)和(hé)透光(guāng)來(láiα‌ ♣)達到(dào)顯示的(de)目的(de),響應時(shí)間≠®¥₩(jiān)大(dà)大(dà)提高(gāo)到(dào≥®π)80ms左右,因其具有(yǒu)比TN-LCD更高♥β(gāo)的(de)對(duì)比度和(hé)更™♠豐富的(de)色彩,熒屏更新頻(pín)率也(yě)更快(ku£≤≠✔ài),故TFT俗稱“真彩”。

  相(xiàng)對(duì)于DSTN而言,TFT₽₹ -LCD的(de)主要(yào)特點是(shì)為(wèλ♦γi)每個(gè)像素配置一(yī)個(gè↕✘ ♣)半導體(tǐ)開(kāi)關器(qì)件(jiàn)。由于'≤"每個(gè)像素都(dōu)可(kě)以通(tōn∞₽g)過點脈沖直接控制(zhì)。因而每個(gè)節點都(dōu↓‌ )相(xiàng)對(duì)獨立,并可(kě)以 ✔進行(xíng)連續控制(zhì)。這(©¶★£zhè)樣的(de)設計(jì)方法不(bù)僅提高(gāo)了(le)顯示♥♥屏的(de)反應速度,同時(shí)也(yě)×"可(kě)以精确控制(zhì)顯示灰度,這(zhè)就φ™₩¥(jiù)是(shì)TFT色彩較DSTN更為(wèi)¥Ω逼真的(de)原因。

  TFT還(hái)改善了(le)STN閃爍(水(shuǐ)波β≈紋)模糊的(de)現(xiàn)象,有(yǒu)效地(dì)提高(gā>γπo)了(le)播放(fàng)動态畫(huà)面的(de)能(néng)力✔£≠。和(hé)STN相(xiàng)比,TFT有(yǒu)出色的(deσ‍‌)色彩飽和(hé)度、還(hái)原能(néng)力和™‌(hé)更高(gāo)的(de)對(duì)比度,£•←但(dàn)是(shì)缺點就(jiù)是(shì)比較耗電(diàn),而★± 且成本也(yě)比較高(gāo)。

  TFT技(jì)術(shù)特點

  TFT技(jì)術(shù)是(shì)二十世γ•紀九十年(nián)代發展起來(lái)的(de),采用(y∑↑òng)新材料和(hé)新工(gōng)藝的(dφ÷↑↕e)大(dà)規模半導體(tǐ)全集成電(diàn)路(lù)制(zφ"≈hì)造技(jì)術(shù),是(shì)液晶(LC)、無機(jī)和(λ±☆hé)有(yǒu)機(jī)薄膜電(diàn)緻發光(g×φuāng)(EL和(hé)OEL)平闆顯示器(qì)&↑¶ 的(de)基礎。TFT是(shì)在玻璃或塑料基闆等非單©©δ晶片上(shàng)(當然也(yě)可(kě)以≠©₹在晶片上(shàng))通(tōng)過濺射、化(huà)學沉積工(≥☆¶★gōng)藝形成制(zhì)造電(diànγ¥λ)路(lù)必需的(de)各種膜,通(tōng)過對(duπγ‍αì)膜的(de)加工(gōng)制(zhì)作(zuò)大(dà)規 ★模半導體(tǐ)集成電(diàn)路(lù)(± LSIC)。采用(yòng)非單晶基闆可(kě)以大(δ‌​dà)幅度地(dì)降低(dī)成本,是(shì)傳↕>統大(dà)規模集成電(diàn)路(lù)向β≤↕大(dà)面積、多(duō)功能(néng)、低(dī)↑✘σ₽成本方向的(de)延伸。在大(dà)面積玻璃或塑料基闆上(shàng)制(zh‍¥≠ì)造控制(zhì)像元(LC或OLED)開(kāi)關性能•φ÷∞(néng)的(de)TFT比在矽片上(shàng)制(zhì↕λ)造大(dà)規模IC的(de)技(jì)術(shù)難"≠度更大(dà)。對(duì)生(shēnλβ↑ g)産環境的(de)要(yào)求(淨化(huà)度為(wè>✘i)100級),對(duì)原材料純度的(de)要(y$≠ào)求(電(diàn)子(zǐ)特氣的δ (de)純度為(wèi)99.999985%),對(duβ≤σΩì)生(shēng)産設備和(hé)生(shēng)産技(jì♣↑σ)術(shù)的(de)要(yào)求都(dōu)超過半導體(tǐ)大(d∏∑à)規模集成,是(shì)現(xiàn)代大(dà)生(→¶✘↑shēng)産的(de)頂尖技(jì)術(s¥δ‌≠hù)。其主要(yào)特點有(yǒu):

  大(dà)面積

  九十年(nián)代初第一(yī)代大(₩>dà)面積玻璃基闆(300mm×40 δ≤♣0mm)TFT-LCD生(shēng)産線投産,到(dào)2000年(ni< án)上(shàng)半年(nián)玻璃基闆的(de)面積已經擴大(dà)¶✔ε到(dào)了(le)680mm×880mm),最近(j↕₩™✔ìn)950mm×1200mm的(de)玻璃基闆也✘₹(yě)将投入運行(xíng)。原則上(shàng)講沒有(yǒu)面£₹₹積的(de)限制(zhì)。

  高(gāo)集成度

  用(yòng)于液晶投影(yǐng)的(de)1.3πα€↓英寸TFT芯片的(de)分(fēn)辨率為(wèi γ→★)XGA含有(yǒu)百萬個(gè)像素←₽。分(fēn)辨率為(wèi)SXGA(1280×102¥₽↔4)的(de)16.1英寸的(de)TFT陣列非晶↓↑體(tǐ)矽的(de)膜厚隻有(yǒu)50nm,以及ε₽∑TAB ON GLASS和(hé)SYSTEM ON GLASS技(j₩£☆ì)術(shù),其IC的(de)集成度,對(duì'₹)設備和(hé)供應技(jì)術(shù)的(dγ★™e)要(yào)求,技(jì)術(shù)難度都(dōu)超過傳統的(de)✔£¶LSI。

  功能(néng)強大(dà)

  TFT最早作(zuò)為(wèi)矩陣選址電(diàn)路(lù)改善了±★(le)液晶的(de)光(guāng)閥特性§"♥。對(duì)于高(gāo)分(fēn)辨率顯示器 ↑♦(qì),通(tōng)過0-6V範圍的(de)電(diàn)壓調節(其典型值↓'‍0.2到(dào)4V),實現(xiàn)了(le)©®♦對(duì)象元的(de)精确控制(zhì),從(cóng)而使LCD實現("α‍xiàn)高(gāo)質量的(de)高(gāo)分(fēn←‌)辨率顯示成為(wèi)可(kě)能(néng)。TFT-LCD是(shì)→♣×λ人(rén)類曆史上(shàng)第一(yī)種在顯示質量上(sh&₽♣★àng)超過CRT的(de)平闆顯示器(qì)。現(xià§♣n)在人(rén)們開(kāi)始把驅動IC集成到(dào)玻璃基闆上(‌✘shàng),整個(gè)TFT的(de)功能(néng)将更強大(dπ★à),這(zhè)是(shì)傳統的(de)大(dà)規ε←±λ模半導體(tǐ)集成電(diàn)路(lù)所無法比拟的(★♠de)。

  低(dī)成本

  玻璃基闆和(hé)塑料基闆從(cóng)根本上(s ‌→hàng)解決了(le)大(dà)規模半導體(tǐ)集成↕¶'電(diàn)路(lù)的(de)成本問(wèn)題,為☆γ(wèi)大(dà)規模半導體(tǐ)集成電(diàn)ββ路(lù)的(de)應用(yòng)開(kāi)拓了(le)>α≤≠廣闊的(de)應用(yòng)空(kōn≈ g)間(jiān)。

  工(gōng)藝靈活

  除了(le)采用(yòng)濺射、C≥♦←VD(化(huà)學氣相(xiàng)沉積)MCV♦​D(分(fēn)子(zǐ)化(huà)學氣相(xiàn™δ£g)沉積)等傳統工(gōng)藝成膜以外(wài),激光(g↕α¥uāng)退火(huǒ)技(jì)術(shù)也(•₽πyě)開(kāi)始應用(yòng),既可>β‍(kě)以制(zhì)作(zuò)非晶膜、多(duō)晶膜,也₩ε≠'(yě)可(kě)以制(zhì)造單晶膜。不(bù)僅可(kě)以制(zh☆§§ì)作(zuò)矽膜,也(yě)可(kě)以制(÷¶≥☆zhì)作(zuò)其他(tā)的(de)Ⅱ-Ⅵ族和(hé)Ⅲ-Ⅴ族半導體(♠₹tǐ)薄膜。

  應用(yòng)領域廣泛

  以TFT技(jì)術(shù)為(wèi)基礎的(de)液晶平闆顯示器™σ™(qì)是(shì)信息社會(huì)的(de)支柱産業(yè),也♠ $β(yě)技(jì)術(shù)可(kě)應用(yòng)到(dào♦£‍)正在迅速成長(cháng)中的(de)薄膜晶體("ε∞tǐ)管有(yǒu)機(jī)電(diàn)緻發σβ光(guāng)(TFT-OLED)平闆顯示器(q•βì)也(yě)在迅速的(de)成長(cháng)中。

分(fēn)享到(dào)

返回列表